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LPAAT法で大口径、低反り、高純度、安価なGaN基板を量産可能に 東北大学多元物質科学研究所の秩父重英教授らは2022年5月、日本製鋼所や三菱ケミカルとの共同研究により、低圧酸性アモノサーマル(LPAAT)法を用いた窒化ガリウム(GaN)基板の製造において、使用するシード(種結晶)基板の品質が、結晶…