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産業技術総合研究所(産総研)は4月27日、窒化物半導体、特に「窒化インジウム」(InN)や、インジウム含有率の大きい「窒化インジウムガリウム」(InGaN)に対する薄膜結晶の新しい気相成長技術を開発したと発表した。 同成果は、産総研 窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリの王学論…