阪大など、SST-MRAMの消費電力を抑制するマルチフェロイック構造を開発 （マイナビ）

大阪大学(阪大)と東京工業大学(東工大)は5月20日、SST-MRAMなどのスピントロニクスデバイスにおける低消費電力の新たな電圧情報書き込み技術に向け、高性能な「界面マルチフェロイック構造」を開発し、従来の2倍の値となる世界最高レベルの性能指標(磁気電気結合係数)を達成するとともに、電界印加によ…