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PR 米Efficient Power Conversion（EPC）は、実装面積が4.45mm×2.3mmと小さい＋100V耐圧GaN FETを発売した ニュースリリース 。オン抵抗は2.2mΩ（最大値）であり、同じオン抵抗の同社従来品と比較すると実装面積を約26％縮小した。同じオン抵抗のSiパワーMOSFETと比べると実装面積を約1／3に削減でき…