ムーアの法則の終着点、原子サイズ半導体の実現につながる技術を東北大が開発 (1)
東北大学は4月12日、金属とハロゲンが交互に一直線に並ぶ、原子1個分の細さの電子の通り道を作る擬一次元電子系物質「ハロゲン架橋金属錯体」半導体2種類のヘテロ接合に成功し、その構造をマクロスケールおよび原子スケールで明らかにしたと発表した。 同成果は、東北大 理学研究科の脇坂聖憲助教、同・高石慎也准教授、…
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