米国政府と日本政府が次世代の2ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスの半導体開発を共同で進めることで合意した。2ナノメートル半導体はメモリーのトップを走るサムスン電子や台湾のTSMCも大量生産できない最先端技術だ。日本の複数のメディアは「韓国や台湾よりも最先端の半導体を先に開発するこ…
米国政府と日本政府が次世代の2ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスの半導体開発を共同で進めることで合意した。2ナノメートル半導体はメモリーのトップを走るサムスン電子や台湾のTSMCも大量生産できない最先端技術だ。日本の複数のメディアは「韓国や台湾よりも最先端の半導体を先に開発するこ…