デバイス形成後に基板を薄くする工程などにも利用できる 名古屋大学未来材料・システム研究所の天野浩教授と田中敦之特任准教授らによる研究グループは2022年5月、GaN（窒化ガリウム）基板の切り出しを「少ないロス」で「短時間に行う」ことができるレーザースライス技術を、浜松ホトニクスと共同で開…
デバイス形成後に基板を薄くする工程などにも利用できる 名古屋大学未来材料・システム研究所の天野浩教授と田中敦之特任准教授らによる研究グループは2022年5月、GaN（窒化ガリウム）基板の切り出しを「少ないロス」で「短時間に行う」ことができるレーザースライス技術を、浜松ホトニクスと共同で開…