名古屋大学の田中敦之特任准教授と天野浩教授らは浜松ホトニクスと共同で、窒化ガリウム（GaN）基板をレーザーでスライスする技術を開発した。切断時に失われるGaNの厚みは数マイクロメートル（マイクロは100万分の1）と、ワイヤソーで削る場合よりも2ケタ小さくなる。高価なGaNの利用効率が向上する。…
名古屋大学の田中敦之特任准教授と天野浩教授らは浜松ホトニクスと共同で、窒化ガリウム（GaN）基板をレーザーでスライスする技術を開発した。切断時に失われるGaNの厚みは数マイクロメートル（マイクロは100万分の1）と、ワイヤソーで削る場合よりも2ケタ小さくなる。高価なGaNの利用効率が向上する。…