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名古屋大学(名大)は5月31日、レーザーを用いて次世代パワー半導体であるGaNのウェハ基板をロスなく短時間でスライスする技術を開発したことを発表した。 同成果は、名大 未来材料・システム研究所の天野浩教授、同・田中敦之特任准教授、浜松ホトニクスの共同研究チームによるもの。詳細は、英オンライ…