豊田合成は、窒化ガリウム（ＧａＮ）パワー半導体の開発を加速する。４月にスタートした最長で５カ年の環境省プロジェクトでは、チップ化（素子化）技術が担当領域に加わった。前年度に終了した同省のプロジェクトで確立した「ナトリウムフラックス法」と「ポイントシード法」による１５０㍉㍍（６㌅）超の基板作製技術の生産性向上にも取り組む。大電力と高速動作を両立する縦型パワー半導体用ＧａＮチップを実現し、２０２５年度からのサンプル供給開始を目指す。並行して協業パートナーを探索しビジネスモデルを追求する。続きは本紙で
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