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NTTは4月22日、ウルトラワイドギャップ半導体である窒化アルミニウム(AlN)を用いたトランジスタ動作に成功したと発表した。 同成果は、NTT物性科学基礎研究所の廣木正伸氏、同・谷保芳孝氏、同・熊倉一英氏らの研究チームによるもの。詳細は、IEEEが刊行するエレクトロニクスと電子デバイスに関連する…