＜知の最前線／ＳｉＣウエハー加工編＞
次世代パワー半導体として実用化が進む炭化ケイ素（ＳｉＣ）。鉄道車両向けなどで普及し、今後は電気自動車（ＥＶ）向けでの拡大が期待される。シリコン（Ｓｉ）半導体に比べて高耐圧かつ低損失、さらに耐熱性や小型化などさまざまなメリットがあるＳｉＣだが、ダイヤモンドに次ぐ硬度を持つがゆえに、ウエハー加工の面で課題が多い。従来のＣＭＰ（化学的機械研磨）プロセスに比べ、最大約１０倍の加工速度が得られるという独自の電気ＣＭＰ（ＥＣＭＰ）プロセスの開発に取り組む立命館大学の村田順二准教授に話を聞いた。（聞き手＝小谷賢吾）
＜加工しにくさが課題＞
－ ＳｉＣの課題は何でしょうか。
「ＳｉＣはダイヤモンドに次ぐ硬度を持つため、非常に固い。そして化学的に安定しているため、耐薬品性にも優れている。これらは材料として良い特徴だが、加工の観点からみると、加工しにくい原因になっている」
－ ＳｉＣのウエハー研磨の現状は。続きは本紙で
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