歩留まりが悪いと、Samsungの3nm部品の大量生産が遅れる可能性があります

サムスンファウンドリーズは、クアルコムの事業をTSMCに失った後、さらに別の後退に直面する可能性があります。 からのレポート Businesspost.kr その3nmプロセスノードの大量生産は、標準以下の歩留まりのために遅れる可能性があると述べています。 従来のFINFET（Fin FET）設計の代わりに、GAAFET（Gate all around FET）を使用するのは業界で初めてです。

市場調査会社のICNolridgeによると、Samsungは当初3 nmノードを内部使用に使用し、おそらくExynos 2200の後継機種（Exynos 2300）です。 サムスンの最初のロードマップは、3 nmの大量生産が2022年に開始されると述べていましたが、現時点ではそうは思われません。 同社は次のように付け加えた。

サムスン電子は、3ナノメートルから新しく導入されたGAA（ゲートオールアラウンド）プロセスの技術的問題をまだ解決しているようであり、競合他社に先駆けて新技術を導入すると、歩留まりが低下し、大量生産が遅れます。

ただし、完成すると、Samsungの3 nmプロセスは、コンピューティングをまったく新しいレベルに引き上げる可能性があります。 前世代のノードの1.6倍のトランジスタを搭載し、消費電力を50％削減しながら、パフォーマンスを35％高速化できます。 利回りの問題が解決されると、紙の上で、TSMCがそのお金のために実行できるようになるはずです。

しかし、サムスンはTSMCがGAAFETトランジスタに追いつくまでに長くはかかりません。 TSMCの2nmノードはGAAFET設計を採用し、2025年までに量産に入る予定です。一方、Intel Foundriesは、2024年までに20A（2 nm）ノードをキックスタートする予定です。

以前のレポートによると サムスン AMD、Qualcomm、その他数社向けに3nmの部品を製造します。 ただし、クアルコムは、Snapdragon 8Gen1の大失敗の直後に戻ってくる可能性はほとんどありません。 AMDでさえ、Milan-XサーバーCPUをTSMCに切り替えました。

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